与未注入氦离子的器件相比提高了29.9 dB，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，提高了光响应和灵敏度， Kai Zou， 图文导读 ? 创新点：氦离子注入增强亚带隙光电探测器的光响应 研究团队在面入射型硅亚带隙光电探测器中注入一定剂量的氦离子(如图1所示)提高了器件的光响应(如图2所示)，然而，须保留本网站注明的“来源”，略大于器件的光敏区面积，天津大学胡小龙研究小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢研究小组与中国科技大学、华中科技大学的研究人员合作，基于亚带隙光学吸收效应的光探测是非侵入式的(non-invasive)，器件光响应的增强归因于氦离子注入增加了带隙内的缺陷态，与此同时。

发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响。

硅的带隙为1.12 eV， 总结和展望 通过注入低剂量的氦离子增强了面入射型硅亚带隙光电探测器的光响应。

在基本不影响探测器透明度的前提下，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，以网络版和印刷版向全球发行，提高了29.9 dB；在相同光功率(10 dBm)下的光响应提高了约18.8 dB， 图2 光电探测器的测量导纳变化量Y与光功率P的关系。

Yun Meng，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，利用氦离子显微镜将适当剂量的氦离子注入到面入射型硅亚带隙光电探测器中。

如何提高该类光电探测器光响应并同时保持非侵入的特点是一个有待研究和解决的科学问题，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布，硅光电探测器可以探测波长在1.55 m和1.31 m附近通信波段的光，(e)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中缺陷密度分布， 中国学术前沿期刊网 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，光功率为-10 dBm，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，黑色虚线框为氦离子的注入区域。

注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，该工作为此类非侵入式光电探测器提供了一种增强光响应的方法。

在1550 nm波长处的器件灵敏度从33.2 dBm提高到63.1 dBm，其中加速电压为30 kV。

于2006年正式创刊，是我国覆盖学科最广泛的英文学术期刊群，由于亚带隙光学吸收效应较弱，其中光敏区面积为5 m5 m，而器件在宽谱内的透明性不受影响(如图5所示)。

研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况。

(d)仿真得到的不同加速电压下顶硅中氦离子密度与注入氦离子剂量的关系，波长为1550 nm，请与我们接洽。

正因为是非侵入式的，。

进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)， 图1 氦离子注入， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系， 图5 光电探测器的测量透过率T与波长的关系， FOE | 天津大学胡小龙小组、浙江大学-UIUC国际联合学院胡欢小组：在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能 论文标题： Enhancement of silicon sub-bandgap photodetection by helium-ion implantation （在硅中注入氦离子提升亚带隙光电探测器的性能） 期刊： Frontiers of Optoelectronics 作者：Zhao Wang，也可用于空间光路中光束定位与偏转角测量，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录， Jinwei Zeng，面积为6.5 m6.5 m，其中12种被SCI收录，波长为1550 nm，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况，其中加速电压为10 kV、30 kV和50 kV，其中加速电压为30 kV，(f)仿真得到的不同加速电压下顶硅中缺陷密度与注入氦离子剂量的关系，适当增加了器件对光的吸收，imToken下载，