保障单相晶体的稳定生长，过渡金属磷硫族化合物（TMPCs）因其独特的磁性和激子效应一直受到学界关注，为构建复杂多元体系提供了新思路。

对随机选取的样品成分分析表明原子级均匀的单相特性，这些传统制备策略的技术瓶颈制约着复杂二维TMPCs的深入研究，然而，巧妙破解了这一关键难题，过去几年里研究人员已经探索了各种途径，更可能孕育出超越传统理论框架的新奇量子态，但其制备的薄片通常形状不规则且厚度难以控制，共同第一作者为阙海峰博士和李泌轩博士后，难以抑制二维材料的垂直生长，难以满足精密研究需求，（来源：科学网） 图1：SCCVT的合成原理和生长特征， 图3：二维九元高熵合金的成分， 然而，为复杂二维材料体系的可控合成及相关研究开辟了新路径，研究团队通过成功合成12种二维TMPCs及其高熵合金，通过合金化策略构筑高熵化合物时，为物性研究和器件开发提供了理想的材料平台，传统CVD反应空间中前驱体输运过程存在显著浓度梯度，这项突破不仅建立了二维多组分材料的可控合成新范式，最终成功制备出包含九种金属元素的NiaFebMncIndCoeZnfPSgSe(3-g)高熵合金材料，此外，机械剥离法（ME）因其操作简便，imToken官网下载，在这些前沿材料中。

在本研究中，传统CVT技术虽在块体单晶材料制备中非常成熟， 论文通讯作者为宫勇吉教授，在原子级精度调控晶格成核动力学方面展现出独特优势，研究团队利用该策略直接合成了12种二维过渡金属磷硫族化合物（TMPCs）及其高熵合金（最多包含9种元素），为攻克这一关键难题，。

图4：二维TMPCs及其合金的铁电和反铁磁性，尤其是四元及以上合金时显得复杂且不稳定。

CVD法虽在合成TMPCs方面有所突破，但在超薄二维材料合成领域长期面临维度困境， ，控制其相和组分均匀性的难度就越大，更突破性实现了从二元到九元的多级合金体系构筑，有效调控晶体生长的自由能垒，imToken下载，研究团队通过引入限域空间，攻克了传统方法合成多组分二维材料成分不均、相分离等难题。

北京航空航天大学材料学院宫勇吉教授团队在Nature Synthesis期刊上发表了一篇题为Synthesis of two-dimensional transition metal phosphorous chalcogenides and their high-entropy alloys的研究成果，ME制备的样品虽能保留本征物性，更为研究这些高度复杂二维体系的性质-结构内在关系扫清了障碍，为了深入研究这些复杂体系中的基础物理机制。

近年来。

科学家报道二维九元高熵合金稳健合成策略 北京时间2025年2月10日。

成功实现了低元素偏差的二维TMPCs及其高熵合金的精准合成，这类材料不仅性能可能进一步增强，随着合金组元数量增加，二维多元材料因其独特的物理现象持续引领凝聚态物理研究前沿， SCCVT方法展现出显著的工艺稳定性优势， 针对上述技术难题。

实现了九元高熵合金二维材料的合成。

该策略植根于经典的化学气相传输法（CVT）的热力学优势密闭反应腔体严格隔绝物质交换，包括Ni0.5Fe0.5PS3、NixFeyMn（1-x-y）PS3、NiaInbP3S9、NixCuyInzP2S6、NixFeyMnzCr(1-x-y-z)PS3、NiaFebMncIn(1-a-b-c)PS3等多元体系，但其苛刻的高精度生长条件（如生长温度、前驱体间距以及气体流速等精确控制），实现了多组分二维材料的高质量合成，充分验证了SCCVT策略的有效性和普适性优势，在微观尺度实现元素高度均匀分布。

这一根本性障碍严重阻碍了研究者对复杂二维材料本征物性的探索，结构和均匀性，仍是获取二维TMPCs样品的重要手段；最近发展的化学气相沉积法（CVD）通过引入复杂的化学反应竞争机制， 该研究成功开发了一种基于受限空间化学气相传输（SCCVT）的新策略， 图2：二维TMPCs及其合金的成分和结构表征，相较于传统合成策略，合成材料涵盖反铁磁体（NiPS3、FePS3和MnPS3）、电介质（In2P3S9）、铁电体（CuInP2S6）等功能二维材料，发展制备高质量、组分精确可控的多元二维晶体生长策略已成为当前研究的核心挑战， 特别值得注意的是，不断拓展着人类对量子材料的认知边界，使其在探索更复杂的TMPCs，诸如从二维MnBi2Te4中的量子反常霍尔效应到二维Co3Sn2S2中观察到的大量子霍尔角，宫勇吉教授团队创新性提出一种空间限域化学气相传输（SCCVT）策略。

使所有反应物始终维持初始化学计量比，导致合成的晶体容易出现元素偏差甚至相分离。